ОЗУ Samsung M425R2GA3BB0-CWM Electronics 16GB SODIMM 5600Mhz

Характеристики Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5

Форм-фактор памяти

SODIMM

Объем одного модуля

16 ГБ

Количество модулей в комплекте

1 шт

Суммарный объем комплекта

16 ГБ

Эффективная частота

5600 МГц

Пропускная способность

44800 МБ/c

Поддержка ECC

Нет

Количество контактов памяти

262

Тайминги

CAS Latency (CL)

40

Дополнительные характеристики

Напряжение питания

1.1 В

Максимальная выделяемая мощность

6 Вт

Нормальная операционная температура

50 ºС

Расширенная операционная температура (Tcase)

85 ºС

Высота памяти

30 мм

Радиатор

Нет

Подсветка элементов платы

Нет