Основные характеристики
- Производитель
- Samsung
Объем памяти комплекта
8 ГБ
Кол-во планок в комплекте
1 шт
Форм-фактор памяти
DIMM
Тип памяти
DDR4
Ранг памяти
одноранговая
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS-латентность
CL22
Схема таймингов памяти
22-22-22
Рабочее напряжение
1.2 В
Тип охлаждения
без охлаждения
Профиль планки
стандартный
Дополнительно
поддержка буферизации (Registered)
поддержка ECC
